МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

     

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА


Компактная микроэлектронная память находит широкое при­менение в самых различных по назначению электронных устрой­ствах.

Понятие «память» связывается с ЭВМ и определяется как ее функциональная часть, предназначенная для записи, хранения и выдачи данных. Комплекс технических средств, реализующий функ­цию памяти, называется запоминающим устройством (ЗУ). Полупро­водниковая микросхема памяти в общем случае представляет собой и функционально, и конструктивно часть ЗУ, поскольку, как будет показано далее, для построения ЗУ требуется набор микросхем памяти.

Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ). Элемент памя­ти может хранить один разряд числа, т. е. один бит информации. Элементы памяти расположены на пересечениях т строк и n столб­цов матрицы (рис. 5.8), так что их общее число равно произведе­нию тп. Для обращения к нужному ЭП (выборки ЭП) сигналами единичного уровня возбуждаются адресные шины строки и столбца, на пересечении которых находится данный ЭП. На всех остальных адресных шинах должны быть сигналы нулевого уровня. Такая система адресации информации (выборки ЭП) при обращении к на­копителю получила название двухкоординатной.

Рис. 5.8. Струк­турная схема мик­росхемы памяти К155РУ1

Рис. 5.9. Запоминающее устройство 16X4 бит на микросхе­мах К155РУ1

Формирование сигналов выборки производится дешифратором кода адреса, который может быть внешним для микросхемы памяти (рис. 5.9) или ее внутренним функциональным узлом (рис. 5.12).

Элемент памяти выбирается для того, чтобы в него записать О или 1, либо считать хранящуюся в нем информацию.
Особого внимания специалистов и радиолюбителей заслуживают серии, объединяющие наиболее универсальные по своим функцио­нальным возможностям микросхемы — операционные усилители (§ 2.8). Каждый операционный усилитель может служить основой для большого числа узлов, относящихся к различным функциональ­ным подгруппам и видам.

Таблица 2.1



Подгруппы

Серии

 
101

118

119

122

123

124

129

140

142

143

1-18

149

153

162

167

168

174

175

177

181

190

198

218

219

224

 
Г енераторы

+

+

+

+

 
Детекторы

+

+

+

+

 
Коммутаторы и ключи

+

+

+

+

+

+

+

+

 
Многофункциональные схемы

+

+

+

 
Модуляторы

+

+

+

 
Наборы элементов

+

+

+

+

+

 
Преобразователи

+

+

+

 
Вторичные источники питания

+

+

+

 
Устройства селекции и сравне­ния

+

+

 
Усилители

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

 
Подгруппы

Серии

226

228

235

237

245

24Э

263

265

275

284

288

209

435

504

5L3

521

544

553

597

710

722

740

743

762

Генераторы

+

+

Детекторы

+

+

Коммутаторы и ключи

+

+

+

+

+

+

+

+

+

Многофункциональные схемы

+

+

Модуляторы

+

+

Наборы элементов

+

+

+

+

Преобразователи

+

+

+

+

+

Вторичные источники питания

+

+

+

Устройства селекции и сравне-

+

+

+

+

+

ния

Усилители

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+




 

Для характеристики микросхем различных серий и для сравни­тельной оценки микросхем, относящихся к одному виду, в основном используют совокупности функциональных параметров. Однако в инженерной и радиолюбительской практике важную роль играют и такие факторы, как напряжение питания, конструктивное оформ­ление, масса, предельно допустимые условия эксплуатации микросхем. Часто именно они имеют решающее значение при выборе эле­ментной базы для конкретной аппаратуры.

Данные по напряжению питания приведены в табл. 2.2, из ко­торой видно, что для питания микросхем используются различные номинальные значения напряжений положительной и отрицательной полярности. При этом допуск в большинстве случаев составляет 4-10%. Исключение составляют микросхемы серий К140, имеющие допуск ±5 %, часть микросхем серии К224 с допусками ±5, ±20 и ±25 % микросхемы серии К245 с допуском ±20 %, а также ча­стично микросхемы серий 219, К224, 235 и К237, нормально рабо­тающие при изменении напряжений в более широких пределах.

 

Таблица 2.2

Серия

Uном, В

До­пуск, %

Серия

Uном, В

До­пуск,

%

101

 — 6,3; — 3; 3; 6,3; 9

+ 10

219

5

+ 10

118

 — 6,3; — 4; — 3; 3; 4;

+ 10

224

3 — 3,6; 3,6 — 9; 5,4 — 9;

 

 

6,3; 12,6

 

 

5,4 — 12

 

119

 — 6,3; — 3; 3; 6,3; 12

+ 10

 

3

+ 5

122

 — 6,3; — 4; — 3; 3; 4;

+ 10

 

 — 30; — 24; — 6,3; 3,4;

+ 10

 

6,3; 12,6

 

 

6,3; 12; 15; 24; 200

 

123

6,3

+ 10

 

9

+20

124

15

 

 

4

+25

129 140

15 — 18; — 15; — 12,6;

±5

226 228

 — 9; — 6,3; 6; 12,6 — 6,3; 6,3

±10

+ 10

 

 — 12; -хб.З; 6,3; 12;

 

235

6,3

+ 10

 

12,6; 15; 18

 

237

5; 6

+ 10

142

9 — 20; 40

+ 10

 

5 — 10; 6 — 10; 5,6 — 10;

 

148 149

 — 24; — 12; 3; 12; 24 3; 5; 12,6

+ 10 + 10

 

7,2 — 15; 3,6 — 10; 3,6 — 6; 4,5 — 5,5

 

153

 — 15; 15

+ 10

245

6

+20

162

30

 

 

12

+ 10

167

 — 12

+ 10

265

 — 6,3; 6,3

+ 10

174

 — 12; 6,9; 12; 15

+ 10

284

 — 15; — 12; — 9; — 6;

±10

175

6; 6,3

+ 10

 

6,9; 12; 15

 

177

 — 12,6; — 6,3; 6,3;

+ 10

435

6

+ 10

 

12,6

 

504

 — 12

+ 10

181

9 — 20

 

722

 — 6,3; — 4; — 3,3; 4;

 — ! —

+ 10

190

 — 30

 

 

6,3; 12,6

 

198

 — 6,3; 6,3

+ 10

740

 — 15; 15

+ 10

218

6,3

+ 10

 

 

 




Таблица 2.3

Серия

Тип корпуса

Серия

Тип корпуса

224

115.9-1

101, 124, 140, 153,

301.8-2

435

111.14-1

159, 167, 504, 521

 

218

151.14-2

122, 140, 153, 173,

301.12-1

218, 226, 228

151.15-2

181, 190, 521

 

228, 265, 284

151.15-4

148

311.30-1

252, 260

157.29-1

119, 198

401.14-2

174

201.29-1

123, 162, 168, 175,

401.14-3

118, 140, 553

201.14-1

177

 

118, 174

201.14-6,8

149, 198

401.14-4

245

206.14-2

142

402.16-2

174

238.12-1

219, 235

„Акция"

174

238.16-2

237

„Кулон"

174

238.16-4

299

461.5-1

544

301.8-1

513

КТ-21

Различие по величине питающих напряжений во многих прак­тических случаях затрудняет или делает невозможным использова­ние в одном устройстве микросхем различных серий, даже если они отвечают требованиям по основным функциональным параметрам.

Таблица 2.4

Серия

Диапазон температур*, °С

101, 118, НО, 162, 245

 — 10 — +70

153, 740

 — 10— +85

224

 — 30 — +50

174

 — 30 — +55

237

 — 30 — +70

119, 553

 — 40 — +85

226, 284

 — 45 — +55

142 167, 218, 228, 299, 513, 544

 — 45— +70

148 149, 177, 190, 198, 504

 — 45 — +85

124, 219, 235, 265

 — 60 — +70

122, 123, 129, 435, 710, 740

 — 60 — +85

521

 — 60 — +125

* Указан температурный диапазон наиболее распространенных в практике радиолюбителей микросхем с индексом "К".

Разнообразно конструктивное оформление микросхем различных серий. Они различаются по форме, размерам, материалу корпусов, количеству и типу выводов, массе и т. д. Как видно из табл. 2.3, для рассматриваемых в настоящей главе микросхем используется 25 типоразмеров прямоугольных и круглых корпусов со штырько­выми или пленарными выводами. Часть микросхем (серий К129, К722 и др.) выпускается в бескорпусном оформлении с гибкими проволочными или жесткими выводами.


Масса микросхем в корпу­ сах колеблется от долей грамма (корпуса 401.14-2 и 401.14-3) до 17 г (корпус 157.29-1). Масса бескорпусных микросхем не превы­шает 25 мг.

По предельно допустимым условиям эксплуатации микросхемы разных серий существенно различаются.

Различие по температурному диапазону применения аналоговых микросхем показано в табл. 2.4. Очевидно, что микросхемы, харак­теризуемые нижним пределом температурного диапазона — 10 или — 30 °С, не могут быть рекомендованы для применения в переносной аппаратуре, предназначенной для работы в зимних условиях. Иног­да серьезные ограничения накладывает верхняя граница +50 или +55 °С.

По устойчивости к механическим нагрузкам микросхемы раз­личных серий близки друг к другу. Большинство микросхем выдер­живает вибрационную нагрузку в диапазоне от 1 — 5 до 600 Гц с ускорением 10 g. (Для микросхем серий К122, К123 ускорение не должно превышать 5 g, а для микросхем серий КП9 и К167 — 7,5 g.) Исключение составляют микросхемы серии К245 и часть микросхем серии К224, диапазон вибрационных нагрузок для кото­рых 1 — 80 Гц с ускорением 5 g.

Объем настоящей книги не позволяет детально рассмотреть все выпускаемые отечественной промышленностью микросхемы. Поэтому далее дана лишь краткая характеристика приведенных в табл. 2.1 серий и входящих в них микросхем с указанием основных парамет­ров, проведено сравнение микросхем по видам и более подробно проанализированы схемотехнические и функциональные особенности микросхем серий К122, К140, К224, 235, К521, которые, по мнению авторов, могут представлять наибольший интерес для широкого круга читателей. Для ряда микросхем приведены примеры типовых функ­циональных узлов.

Необходимую информацию о микросхемах других серий можно найти в каталогах, справочниках, книгах и периодической литера­туре, в первую очередь в журналах «Радио» и «Электронная про­мышленность». Пользуясь этими изданиями, следует помнить о том, что в них часто отождествляются параметры собственно интеграль­ных микросхем и параметры функциональных узлов, иногда пред­ставляющих лишь один из многих вариантов применения конкрет­ной микросхемы.При использовании ее с другими внешними эле­ментами и при иных вариантах коммутации выводов параметры узлов могут существенно отличаться от приводимых в литературе данных. Кроме того, следует заметить, что в различных источниках наблюдаются расхождения в описании отдельных микросхем при количественной оценке их параметров. Это связано с расширением номенклатуры отдельных серий и с модернизацией некоторых ми­кросхем.


Содержание раздела