Микросхемы российские




Электрические параметры




1 Разность напряжений эмиттер-база транзисторов
&nbsp &nbsp 159НТ1А-В
&nbsp &nbsp 159НТ1Г-Е
&nbsp
не более 3 мВ
не более 15 мВ
2 Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА 0,55...0,75 В
3 Обратный ток коллектор-база не более 200 нА
4 Обратный ток эмиттер-база не более 500 нА
5 Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В не более 20 нА
6 Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА
&nbsp &nbsp 159НТ1А,Г
&nbsp &nbsp 159НТ1Б,Д
&nbsp &nbsp 159НТ1В,Е
&nbsp
20...80
60...180
более 80
7 Емкость эмиттера на частоте 10 мГц не более 5 пФ
8 Емкость коллектора на частоте 10 мГц не более 4 пФ





Содержание  Назад  Вперед